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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
17.7
写入速度,GB/s
15.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3567
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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