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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
35
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
35
读取速度,GB/s
22.8
16.2
写入速度,GB/s
15.4
12.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3242
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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