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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
14.8
写入速度,GB/s
15.4
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2014
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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