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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
25
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
25
读取速度,GB/s
22.8
15.0
写入速度,GB/s
15.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2892
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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