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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
16.8
写入速度,GB/s
15.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3239
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
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