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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
73
左右 77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
73
读取速度,GB/s
22.8
14.4
写入速度,GB/s
15.4
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1842
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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