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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
96
左右 82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
96
读取速度,GB/s
22.8
10.5
写入速度,GB/s
15.4
5.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1211
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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