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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
45
左右 62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
45
读取速度,GB/s
22.8
10.0
写入速度,GB/s
15.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2414
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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