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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
35
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
35
读取速度,GB/s
22.8
15.2
写入速度,GB/s
15.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2773
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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