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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
18.6
写入速度,GB/s
15.4
15.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3552
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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