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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
78
左右 78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
78
读取速度,GB/s
22.8
13.1
写入速度,GB/s
15.4
6.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1584
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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