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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
17.5
写入速度,GB/s
15.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2807
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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