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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
27
读取速度,GB/s
22.8
17.0
写入速度,GB/s
15.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2379
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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