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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
16.7
写入速度,GB/s
15.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2948
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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