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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
23
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
23
读取速度,GB/s
22.8
15.3
写入速度,GB/s
15.4
9.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2619
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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