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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
36
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
36
读取速度,GB/s
22.8
17.1
写入速度,GB/s
15.4
11.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3009
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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