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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
54
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
54
读取速度,GB/s
14.5
17.5
写入速度,GB/s
9.2
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2509
2264
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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