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Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
13.9
15.9
写入速度,GB/s
10.1
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2696
2927
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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