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Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
4,680.7
17.7
写入速度,GB/s
1,361.1
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
3266
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
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