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Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
4,680.7
15.5
写入速度,GB/s
1,361.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2445
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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