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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
4,680.7
12.1
写入速度,GB/s
1,361.1
10.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2897
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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