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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
4,680.7
16.9
写入速度,GB/s
1,361.1
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
3300
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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