RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

总分
star star star star star
Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

总分
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

差异 规格 评论

差异

Corsair VS1GB800D2 1GB 需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    47 left arrow 91
    左右 48% 更低的延时
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB 需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    4.3 left arrow 1,361.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 91
  • 读取速度，GB/s
    4,680.7 left arrow 6.1
  • 写入速度，GB/s
    1,361.1 left arrow 4.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    460 left arrow 1214

Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较

Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
内存RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
内存RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
内存RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
内存RAM