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Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
54
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.3
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
54
读取速度,GB/s
4,680.7
9.3
写入速度,GB/s
1,361.1
7.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
1904
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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