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Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
4,680.7
14.8
写入速度,GB/s
1,361.1
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2173
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT6GX3M3A1866C9 2GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
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