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Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
4,680.7
15.4
写入速度,GB/s
1,361.1
11.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2713
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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