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Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
4,680.7
14.4
写入速度,GB/s
1,361.1
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2490
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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