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Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
4,680.7
16.0
写入速度,GB/s
1,361.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
3082
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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