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Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Corsair VS1GSDS533D2 1GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
895.9
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
86
左右 -187% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
86
30
读取速度,GB/s
1,761.9
17.8
写入速度,GB/s
895.9
15.2
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
287
3628
Corsair VS1GSDS533D2 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-021.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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