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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
比较
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
总分
Corsair VS2GB1333D4 2GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS2GB1333D4 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.9
20.0
写入速度,GB/s
7.9
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1947
3559
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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