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Corsair VS2GB1333D4 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

总分
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Corsair VS2GB1333D4 2GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB

总分
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair VS2GB1333D4 2GB 需要考虑的原因
Corsair VS2GB1333D4 2GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 26
    左右 4% 更低的延时
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB 需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.1 left arrow 12.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.9 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair VS2GB1333D4 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    12.9 left arrow 19.1
  • 写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 15.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1947 left arrow 3773

Corsair VS2GB1333D4 2GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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内存RAM
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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