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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Corsair VS2GB1333D4 2GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS2GB1333D4 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
12.9
13.9
写入速度,GB/s
7.9
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1947
2113
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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