RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
4,246.9
15.3
写入速度,GB/s
1,839.1
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3371
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link