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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
4,246.9
16.8
写入速度,GB/s
1,839.1
14.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3262
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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