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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
4,246.9
17.5
写入速度,GB/s
1,839.1
15.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3806
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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