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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
51
左右 -155% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
20
读取速度,GB/s
4,246.9
19.3
写入速度,GB/s
1,839.1
15.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3327
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
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Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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