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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
4,246.9
17.8
写入速度,GB/s
1,839.1
14.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3568
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
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Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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