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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
4,246.9
19.4
写入速度,GB/s
1,839.1
13.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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