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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
4,246.9
19.0
写入速度,GB/s
1,839.1
14.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3651
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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