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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
4,246.9
17.5
写入速度,GB/s
1,839.1
15.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3469
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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