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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
4,246.9
11.3
写入速度,GB/s
1,839.1
7.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2292
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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