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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
4,246.9
14.2
写入速度,GB/s
1,839.1
9.8
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2451
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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