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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
55
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
55
读取速度,GB/s
4,246.9
19.0
写入速度,GB/s
1,839.1
9.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2239
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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