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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
51
左右 -122% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
23
读取速度,GB/s
4,246.9
16.4
写入速度,GB/s
1,839.1
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2575
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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