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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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规格
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
34
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
18
读取速度,GB/s
16.2
21.1
写入速度,GB/s
9.7
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
3971
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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