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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
23
读取速度,GB/s
16.2
17.4
写入速度,GB/s
9.7
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2624
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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