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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
53
读取速度,GB/s
16.2
20.0
写入速度,GB/s
9.7
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2440
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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