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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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规格
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.2
19.0
写入速度,GB/s
9.7
15.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
3714
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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