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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
差异
规格
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
32
读取速度,GB/s
16.2
16.6
写入速度,GB/s
9.7
13.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2955
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
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