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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
23
读取速度,GB/s
16.2
17.2
写入速度,GB/s
9.7
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2989
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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